背景技術：如圖所示，為現(xiàn)有技術電門鎖啟動電路原理圖，通過Acc out鎖頭信號輸出端給三極管Q2 b極一個高電平，使Q2導通；再通過控制驅動電路中R7和R8分壓使Vgs產(chǎn)生約為1/4Vcc的壓差,Vgs最大不大于25V；再通過C8電容充放電，控制Vgs上升沿，實現(xiàn)P-MOS導通；Vgs上升沿時間越長，P-MOS導通的時間越長，通過延長P-MOS的導通時間來實現(xiàn)對導通內(nèi)阻的控制，從而實現(xiàn)對P-MOS管的導通電流的控制。
控制電路中C8電容的充放電會增加Vgs的結電容，導致Vgs上升沿時間過長，將導通速度降低，導通內(nèi)阻會增大，存在p-MOS管的結溫Tj瞬間上升，無法短時間散發(fā)從而造成P-MOS內(nèi)部芯片擊穿。P-MOS管G、S短路。由于采用上述控制電路，電門鎖開啟的瞬間對電門鎖電路容性、感性負載充電，P-MOS峰值電流在VCC＝48V時，IDMAX約大于80A,TD持續(xù)時間約20US，電路存在起火的隱患。
有一點提醒一下蓄電池供電電壓的不同，電動車系統(tǒng)使用MOSFET管數(shù)也有不相同，同時封裝形式也有所不同，電動車MOS管耐壓選型，工程師在選參數(shù)時有什么問題可聯(lián)系技術員哦！
電動車報警器MOS管選型
Part Number ID(A) BVDSS Typical RDS(ON) Max RDS(ON) Package
23P10A -23 -100 0.078 0.95 TO-252
35P10A -35 -100 0.042 0.055 TO-252
電動車充電器MOS管方案選型
可推薦使用：開關管Q可選用的高壓MOSFET，主要為8N60、10N60、12N60、15N60、20N60等大功率產(chǎn)品等；
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