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    500v功放管mos參數(shù)選型與MOS管原廠-mos功放優(yōu)缺點(diǎn)
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-11-16 13:58:00
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    500v功放管mos參數(shù)選型與MOS管原廠,mos功放優(yōu)缺點(diǎn)
    500v功放管mos
    什么是功放管
    烜芯微科技供應(yīng)500v功放管mos,先來看看功放管的分類:A類功放(又稱甲類功放) A類功放輸出級(jí)中兩個(gè)(或兩組)晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài),也就是說不管有無訊號(hào)輸入它們都保持傳導(dǎo)電流,并使這兩個(gè)電流等于交流電的峰值,這時(shí)交流在最大訊號(hào)情況下流入負(fù)載。當(dāng)無訊號(hào)時(shí),兩個(gè)晶體管各流通等量的電流,因此在輸出中心點(diǎn)上沒有不平衡的電流或電壓,故無電流輸入揚(yáng)聲器。當(dāng)訊號(hào)趨向正極,線路上方的輸出晶體管容。
    功放管參數(shù)
    晶體管類型 PNP - Darlington
    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大) 100V
    電流 - 集電極 (Ic)(最大) 10A
    功率 - 最大 125W
    在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V
    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大) 2V @ 10mA, 5A
    電流 - 集電極截止(最大) 2mA
    500v功放管mos選型
    下面是500v功放管mos的參數(shù)選型表:

    Part Number

    IDA

    BVDSSv

    Typical

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    MAX

    RDS(ON)@60%

    ID(Ω)

    ciss

    pF

    5N50H

    5

    500

    1.25

    1.5

    525

    840S

    8

    500

    0.7

    0.9

    960

    4750S

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    KNX4850A

    9

    500

    0.7

    0.9

    960

    KNX6450A

    13

    500

    0.4

    0.48

    2149

    KNX6650A

    15

    500

    0.33

    0.45

    2148

    18N50H

    18

    500

    0.25

    0.32

    2500

    20N50H

    20

    500

    0.21

    0.26

    2700

    24N50H

    24

    500

    0.16

    0.2

    3500

    KNX7650A

    25

    500

    0.17

    0.21

    4280

    KNH8150A

    30

    500

    0.15

    0.2

    4150

    mos管的功放優(yōu)缺點(diǎn)
    (一)優(yōu)點(diǎn)
    1、MOS 管功放具有鼓勵(lì)功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),平安牢靠,且有工作頻率高,偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入,到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。
    2、中音厚,沒有三極管那么大的交越失真。
    電流推進(jìn)級(jí)通常由一至二級(jí)組成,為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù),常采用二級(jí)電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級(jí)產(chǎn)生開關(guān)失真,較好的作法是、采用MOS管并增大本級(jí)的靜態(tài)電流,這樣本級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開關(guān)失真,由于任何狀況下電流推進(jìn)級(jí)一直處于放大區(qū),所以電流輸出級(jí)也一直處于放大區(qū),因而輸出級(jí)同樣不會(huì)產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。
    3、MOS管的線性比晶體管好。
    (二)缺點(diǎn)
    1、低頻的溫和度比晶體管功放差,MOSFET開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高(無法外電路維護(hù)),開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破,呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
    烜芯微經(jīng)多年研討,攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專利技術(shù),推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品,在歐洲市場(chǎng)上取得了認(rèn)可,并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放,但低頻的溫和度比晶體管功放差一些,此外MOSFET開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞。
    2、開啟電壓太高。
    3、偏流開很大,還是有一定的交越失真,沒交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。
    4、MOS管不好配對(duì)在同一批次管,相對(duì)來說要好配對(duì)一點(diǎn)。
    5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個(gè)簡單方法,把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。
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