今天給大家推一篇關(guān)于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區(qū)別！
FET，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield Effect Transistor，簡(jiǎn)單理解就是個(gè)水管閥門(mén)。
關(guān)上
打開(kāi)
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;
柵極（Gate），是個(gè)門(mén)，閥門(mén)，打開(kāi)FET，電子就流動(dòng)，關(guān)上閥門(mén)，電子就不流動(dòng)。
漏極（Drain），電子流出FET；
電子是負(fù)電荷，所以，是從GND流到Vcc的
MOSFET，Y2T149聊到MOS是個(gè)電容，MOSFET叫做金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
是現(xiàn)在數(shù)字半導(dǎo)體芯片常用的結(jié)構(gòu)：
MESFET金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect
Transistor，用在第一代模擬或者射頻電路上。
MODFET調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管Modulation Doped Field Effect Transistor,MODFET
MOSFET、與MODFET/MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導(dǎo)體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當(dāng)于塑料閥門(mén)頭，MES/MOD是銅閥門(mén)頭
那MESFET和MODFET的區(qū)別
MODFET有異質(zhì)結(jié)，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,
2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。
小結(jié)：
FET 就是水管子閥門(mén)
MOSFET 是塑料閥門(mén)
MESFET是銅閥門(mén)
MODFET不光是銅閥門(mén)，還用了陶瓷閥芯
MESFET截止頻率比MOSFET高三倍
MODFET截止頻率比MESFET高30%
學(xué)術(shù)解釋?zhuān)?br /> 所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線性區(qū)。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達(dá)到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。根據(jù)閾值電壓的正或負(fù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為增強(qiáng)型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬?半導(dǎo)體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結(jié)構(gòu)。使用肖持基勢(shì)壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結(jié)構(gòu)上除柵極下方的異質(zhì)結(jié)外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結(jié)界面上形成二維電子氣(亦即可傳導(dǎo)的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過(guò)溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)高頻指標(biāo)。在給定長(zhǎng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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