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    開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗問(wèn)題該怎么解決-圖文深度解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-06-12 19:04:45
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    開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗問(wèn)題該怎么解決-圖文深度解析
    開(kāi)關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。
    現(xiàn)在做電源,除了效率以外,空載或者開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗也變得越來(lái)越重要了。這不僅是因?yàn)楦鞣N各樣的能效標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行,也確實(shí)很符合實(shí)際應(yīng)用的需求,因?yàn)榇蟛糠值挠秒娫O(shè)備都長(zhǎng)期工作在待機(jī)狀態(tài)。以離線式的AC/DC電源為例,不同的應(yīng)用要求不一樣,有500mW、300mW、再到100mW,甚至是很多充電器所追求的10mW以下。下面我們就對(duì)開(kāi)關(guān)電源的待機(jī)功耗進(jìn)行分析。
    (一)輸入部分損耗
    1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
    適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感,包括線徑和匝數(shù)
    2、放電電阻上的損耗
    在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
    3、熱敏電阻上的損耗
    在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (二)啟動(dòng)損耗
    普通的啟動(dòng)方法,開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷,此損耗持續(xù)存在。
    改善方法:恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng),啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (三)與開(kāi)關(guān)電源工作相關(guān)的損耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (四)鉗位電路損耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    有放電電阻存在,mos開(kāi)關(guān)管每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生放電損耗
    改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    當(dāng)然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (五)供電繞組的損耗
    電源芯片是需要一定的電流和電壓進(jìn)行工作的,如果Vcc供電電壓越高損耗越大。
    改善方法:由于IC內(nèi)部消耗的電流是不變的,在保證芯片能在安全工作電壓區(qū)間的前提下盡量降低Vcc供電電壓!
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (六)變壓器的損耗
    由于待機(jī)時(shí)有效工作頻率很低,并且一般限流點(diǎn)很小,磁通變化小,磁芯損耗很小,對(duì)待機(jī)影響不大,但繞組損耗是不可忽略的。
    變壓器繞組引起的損耗
    繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗(分布電容在開(kāi)關(guān)MOS管關(guān)斷時(shí)充電,在開(kāi)關(guān)MOS管開(kāi)通時(shí)放電引起的損耗。)
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    當(dāng)測(cè)試mos管電流波形時(shí),剛開(kāi)啟的時(shí)候有個(gè)電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶,來(lái)減少層間分布電容。
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (七)開(kāi)關(guān)管MOSFET上的損耗
    mos損耗包括:導(dǎo)通損耗,開(kāi)關(guān)損耗,驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。
    改善辦法:降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩)
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (八)整流管上的吸收損耗
    輸出整流管上的結(jié)電容與整流管的吸收電容在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上,引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。
    改善方法:在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值,降低吸收電阻的阻值。
    當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    (九)輸出反饋電路的損耗
    開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源待機(jī)功耗
    開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化控制、軍工設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、電力設(shè)備、儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備、半導(dǎo)體制冷制熱、空氣凈化器,電子冰箱,液晶顯示器,LED燈具,通訊設(shè)備,視聽(tīng)產(chǎn)品,安防監(jiān)控,LED燈帶,電腦機(jī)箱,數(shù)碼產(chǎn)品和儀器類等領(lǐng)域。
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