在MOS管作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí)，因?yàn)樗妮斎胩匦裕赡軙?huì)引起“開(kāi)關(guān)”動(dòng)作滯后，這就不能凸顯出MOS管相對(duì)于三極管的優(yōu)勢(shì)。而為了改善MOS管作為開(kāi)關(guān)的效果，有時(shí)候需要電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師使用灌流電路來(lái)幫助MOS管發(fā)揮最佳的作用。

灌流電路

灌流電路主要是針對(duì)MOS管在作為開(kāi)關(guān)管運(yùn)用時(shí)其容性的輸入特性，引起“開(kāi)”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設(shè)置的電路，當(dāng)MOS管作為其他用途；例如線(xiàn)性放大等應(yīng)用，就沒(méi)有必要設(shè)置灌流電路。

MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開(kāi)”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開(kāi)關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開(kāi)關(guān)管）。

壓波形變成B的畸變波形，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管不能正常開(kāi)關(guān)工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒(méi)有阻值，激勵(lì)信號(hào)能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，這樣MOS開(kāi)關(guān)管就能迅速的“開(kāi)”、“關(guān)”，保證了正常工作。由于激勵(lì)信號(hào)是有內(nèi)阻的，信號(hào)的激勵(lì)電流也是有限度，在作為開(kāi)關(guān)管的MOS管的輸入部分，增加一個(gè)減少內(nèi)阻、增加激勵(lì)電流的“灌流電路”來(lái)解決此問(wèn)題。

另一種灌流電路

灌流電路的另外一種形式，對(duì)于某些功率較小的開(kāi)關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了下圖A的電路方式。

圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作過(guò)程是這樣，當(dāng)激勵(lì)方波正半周時(shí)，D導(dǎo)通，對(duì)MOS管輸入端等效電容充電(此時(shí)Q截止)，在當(dāng)激勵(lì)方波負(fù)半周時(shí)，D截止，Q導(dǎo)通，MOS管柵極S所充電荷，通過(guò)Q放電，MOS管完成“開(kāi)”與“關(guān)”的動(dòng)作，如上圖B所示。此電路由激勵(lì)信號(hào)直接“灌流”，激勵(lì)信號(hào)源要求內(nèi)阻較低。該電路一般應(yīng)用在功率較小的開(kāi)關(guān)電源上。

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