MOS管的閾值電壓
具體定義（以下圖NMOS為例）：當柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
閾值電壓（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要參數(shù)之一，因為它決定著器件的性能和應用范團。閾值電壓Vth定義為可以在源極和漏極之間形成導電溝道的最小柵極偏壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。
VGS(th)開啟電壓（閾值電壓），當外加柵極控制電壓超過VGS(th)時，漏區(qū)和源區(qū)形成了溝道。測試時，通常一定VDS條件下，漏極電壓ID等于某一值時的柵極電壓稱為開啟電壓。
mos管的閾值電壓公式
MOSFET的閾值電壓：
對于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過以下公式計算：
Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
其中，Vth為閾值電壓，Vt0為零偏電壓，γ為衰減系數(shù)，φF為內(nèi)建電勢，Vsb為源極與基極之間的電壓。
BJT的閾值電壓： 對于雙極型晶體管（BJT），其閾值電壓可以通過以下公式計算：
Vth = Vbe_on - (KT/q) * ln(Ic/Is)
其中，Vth為閾值電壓，Vbe_on為基極-發(fā)射極的正向電壓，KT為玻爾茲曼常數(shù)乘以溫度，q為電子電荷，Ic為集電極電流，Is為發(fā)射極飽和電流。
需要注意的是，不同類型的半導體器件和不同的制造工藝可能會有不同的閾值電壓計算公式。在實際應用中，需要參考器件的數(shù)據(jù)手冊和相關文獻，以獲取準確的閾值電壓計算方法。
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