您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
MOS管應(yīng)用,MOS管與三極管的區(qū)別,MOS管控制電機分析開關(guān)管:三極管 和 MOS管,當三極管上通過的電流比較大時(功耗比較大),這時我們就需要
MOS管的引腳圖詳解MOS管的引腳,G、S、D分別代表什么?G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半
MOS管原理用法詳情介紹一、 一句話MOS管工作原理NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電
mos管的驅(qū)動電路介紹注意Q10的基極和D5的陰極直接相連Q10和Q9是輪流導(dǎo)通。PWM信號為正的時候,Q9導(dǎo)通,因為D5,Q10的基極電位比發(fā)射極電位
MOS管開關(guān)時的米勒效應(yīng)解析一、MOSFET的開通過程MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)
選適合的場效應(yīng)管,訣竅介紹一、場效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度,我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高,在一些電子產(chǎn)
場效應(yīng)晶體管的四大注意事項解析場效應(yīng)晶體管在運用時除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外,對于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)
場效應(yīng)晶體管在電路中的特別應(yīng)用介紹在電子元器件行業(yè),場效應(yīng)晶體管一直被譽為開關(guān)電路的神器,那是因為場效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、
場效應(yīng)晶體管的具體參數(shù)詳解電子元器件市場中,以場效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛,可是對于場效應(yīng)晶體管的參數(shù),大家都是一籌莫展
MOS管和場效應(yīng)晶體管的關(guān)系詳情電子元器件行業(yè)有今天的成就,那絕離不開MOS管與場效應(yīng)晶體管的鼎力相助,但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS
怎么判斷場效應(yīng)晶體管方向1 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間
場效應(yīng)管的可變電阻區(qū),飽和區(qū),截止區(qū)知識理解場效應(yīng)管飽和區(qū)、截止區(qū)、可變電阻區(qū)在這里插入圖片描述場管飽和區(qū)就是放大區(qū),輸出電流只受控