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場效應(yīng)管原理-場效應(yīng)管的小信號模型與其參數(shù)場效應(yīng)管是只有一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道
CMOS場效應(yīng)晶體管的發(fā)展趨勢介紹自從1947年第一支晶體管的發(fā)明,半導體集成電路在二十世紀的后三十年有了一個極大的發(fā)展。這個發(fā)展極大的推
三極管開關(guān)電路與場效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較一般我們在做電路設(shè)計時候,三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別:首先是三極管是用電流
一種實用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路3 3V--5V當你使用3 3V的單片機的時候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會遇到3 3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3 3V的情況,這里介紹一個
介紹幾款場效應(yīng)管功放電路圖場效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出,500W。場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅(qū)動,在驅(qū)動級上有些不一樣,沒弄過場管功
超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢介紹平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導
開關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用介紹寄生二極管由來是由生產(chǎn)工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會有這個寄生二極管。小功率MOS管
場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法及經(jīng)驗一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向
開關(guān)電源設(shè)計中如何區(qū)別與選用三極管及MOS管三極管的工作原理:三極管是電流放大器件,有三個極,分別叫做集電極C,基極B,發(fā)射極E。分成NP
解析場效應(yīng)管mos管vgs電壓過大有什么后果常遇到MOS管Vgs電壓過大會損壞管子,但是從原理上看,似乎不然呀?當vGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不
開關(guān)電源MOS管如何選在開關(guān)電源當中,開關(guān)管的關(guān)斷和開通時間影響著開關(guān)電源的工作效率,而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用,那么MOS管的
萬用表測試MOS管使用與更換在由于生產(chǎn)工藝的進步,出廠的篩選、檢測都很嚴格,我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、