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電路設(shè)計,MOS管電容近似計算方法介紹
2023-05-30
電路設(shè)計,MOS管電容近似計算方法介紹Cox的理論計算方式在電路設(shè)計零極點計算中，我們經(jīng)常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cgg=Cox*
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集成電容,MOS電容和平板電容解析
2023-05-30
集成電容,MOS電容和平板電容解析電容是一種對電荷信號進行處理的無源器件。與電阻類似,電容在數(shù)模混合電路系統(tǒng)中有十分廣泛的應(yīng)用,如運放中
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MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析
2023-05-29
MIM,MOM與MOS電容的區(qū)別圖文解析ic layout經(jīng)常會遇到這三種電容： MOS， MOM ， MIM。MOS 電容：兩端結(jié)構(gòu)的mos管，電容值不精確，可
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先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析
2023-05-29
先進工藝下MIM電容和MOM電容的比較解析1、單位面積容值相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1 3 MOS電容值。2、工藝實現(xiàn)和
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MOS管寄生電容怎么形成
2023-05-29
MOS管寄生電容怎么形成MOS管規(guī)格書中有三個寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數(shù)具體到管
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超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)解析
2023-05-27
超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)解析超級結(jié) MOSFET (SJ-MOS)英文名稱叫Super Junction MOSFET。為了解決額定電壓提高而導(dǎo)通電阻增加的
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超結(jié)MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因解析
2023-05-27
超結(jié)MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因解析超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因超結(jié)功率MOSFET技術(shù)目前采取多層外延和深溝槽工藝，相對于
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結(jié)電容Cgd Cgs Cds和分布參數(shù)Ciss Crss Coss介紹
2023-05-27
結(jié)電容Cgd Cgs Cds和分布參數(shù)Ciss Crss Coss介紹結(jié)電容的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測定方
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MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析
2023-05-26
MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文解析分別找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下導(dǎo)通電阻的正溫度特性，閾值電壓的負溫度特性是什么樣的
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電源電路,幾種產(chǎn)生負電源的方法介紹
2023-05-26
電源電路,幾種產(chǎn)生負電源的方法介紹電源電路是電路設(shè)計的重要環(huán)節(jié)，一般情況下，單電源能實現(xiàn)功能的用單電源就行，可選的方案很多，DC-DC、
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負電壓的產(chǎn)生電路圖原理解析
2023-05-26
負電壓的產(chǎn)生電路圖原理解析在電子電路中我們常常需要使用負電壓，比如說我們在使用運放的時候常常需要建立一個負電壓。下面請看我們在單片
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負電壓電路,負電壓產(chǎn)生電路圖介紹
2023-05-25
負電壓電路,負電壓產(chǎn)生電路圖介紹一個負電壓產(chǎn)生電路：利用電容充電等效出一個新電源，電容串聯(lián)在GND后，等效為電源2，則產(chǎn)生負電壓。1、電